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選六類(lèi)非屏蔽網(wǎng)線(xiàn)較合適。因?yàn)榱?lèi)以上才能跑千兆，而屏蔽線(xiàn)主要用途是防信息泄漏，對(duì)家庭來(lái)說(shuō)安裝麻煩又沒(méi)有什么意義。

1，用打線(xiàn)刀剝離網(wǎng)線(xiàn)外皮，大約5cm左右的長(zhǎng)度；2，用剪線(xiàn)鉗剪去網(wǎng)線(xiàn)線(xiàn)芯中多余的部分，整理好網(wǎng)線(xiàn)線(xiàn)芯，然后套進(jìn)打線(xiàn)蓋中，按照T568A/T568B線(xiàn)序進(jìn)行壓線(xiàn)，將多余的部分剪掉；3，將操作完成的打線(xiàn)蓋按正確的方向壓入模塊，扣緊兩邊護(hù)套蓋，注意：合上護(hù)套蓋的時(shí)候能夠聽(tīng)到清脆的鎖止聲；4，用軋帶在模塊尾部進(jìn)行加固，然后剪掉多余的軋帶部分即可。

1：雙端不會(huì)有電位差，即使有，也會(huì)很快被拉為零電位，畢竟是噪聲。因?yàn)榇蟮厥莻€(gè)巨大的導(dǎo)體。電容量超級(jí)大。單端接地會(huì)形成一個(gè)耦合的lc回路。噪聲都是高頻的。會(huì)容易在屏蔽層里發(fā)生諧振。2：如果不接地，就失去了大地電荷的支援。電磁波過(guò)來(lái)導(dǎo)體電容不夠會(huì)跟著發(fā)生受迫電磁振蕩。從而在吸收部分電磁波的同時(shí)，又把大部分電磁能量通過(guò)同頻振蕩釋放出去了。這樣屏蔽的效果就差。接了地。電磁能量就會(huì)導(dǎo)入地。相當(dāng)于彈簧掛了個(gè)大鐵陀。一點(diǎn)噪聲不會(huì)使屏蔽層振蕩起來(lái)。自然大部分吸收，小部分釋放。屏蔽效果好。

鋁芯4×300平方電纜承載電流表：

平方	材質(zhì)	載流量
4×300	鋁	359

我只知道國(guó)標(biāo)240平方單根銅絞線(xiàn)有61根直徑為2.25mm的銅線(xiàn)組成，其每米重量為2.350kg。

單芯500平方銅芯電纜220v下功率為169840瓦。單芯500平方銅芯電纜的載流量為772A，所以772*220=169840瓦。

銅芯四芯120平方Y(jié)CW電纜800米銅重量是3417.6公斤，銅的密度是8.9，則4×120×8.9×800=3417.6公斤。

是什么樣的“雙屏蔽網(wǎng)線(xiàn)”？如果兩層屏蔽之間沒(méi)有絕緣隔離，則依然視為單層屏蔽。電纜的屏蔽層一定要可靠接地。單層屏蔽一端接地，雙層屏蔽（必須有絕緣隔離）的最外層屏蔽層宜兩段接地、最內(nèi)層宜一端接地。電纜屏蔽層（含鎧裝層）、設(shè)備金屬外殼都應(yīng)等電位接地。

幾類(lèi)線(xiàn)的定義主要是從它們的傳輸性能上來(lái)劃分的，類(lèi)數(shù)越高傳輸帶寬越高。

所以若要嚴(yán)格鑒別應(yīng)做試驗(yàn)。六類(lèi)信道提供了至少200MHZ的綜合衰減對(duì)串?dāng)_比及整體250MHZ的帶寬。平時(shí)購(gòu)買(mǎi)正規(guī)的廠家產(chǎn)品，可以通過(guò)經(jīng)驗(yàn)，肉眼觀察銅芯的粗細(xì)，和絞線(xiàn)的松緊來(lái)判斷好劣，越粗，緾的越緊就越好。屏蔽有兩種：1、 鋁箔屏蔽的雙絞線(xiàn)FTP，帶寬較大、抗干擾性能強(qiáng)，具有低煙無(wú)鹵的特點(diǎn)。相對(duì)的，屏蔽線(xiàn)比非屏蔽線(xiàn)價(jià)格及安裝成本要高一些，線(xiàn)纜彎曲性能稍差 六類(lèi)線(xiàn)及之前的屏蔽系統(tǒng)多采用這種形式。2、 獨(dú)立屏蔽雙絞線(xiàn)STP，每一對(duì)線(xiàn)都有一個(gè)鋁箔屏蔽層，四對(duì)線(xiàn)合在一起還有一個(gè)公共的金屬編織屏蔽層。這種自然要更好些了。

屏蔽線(xiàn)是使用金屬網(wǎng)狀編織層把信號(hào)線(xiàn)包裹起來(lái)的傳輸線(xiàn)，編織層一般是紅銅或者鍍錫銅。屏蔽線(xiàn)的屏蔽層需要接地，外來(lái)的干擾信號(hào)可被該層導(dǎo)入大地。屏蔽線(xiàn)的作用是減少外電磁場(chǎng)對(duì)電源或通信線(xiàn)路的影響，防止線(xiàn)路向外輻射電磁能的作用 導(dǎo)線(xiàn)外部有導(dǎo)體包裹的導(dǎo)線(xiàn)叫屏蔽線(xiàn)。導(dǎo)體外部有導(dǎo)體包裹的導(dǎo)線(xiàn)叫屏蔽線(xiàn)，包裹的導(dǎo)體叫屏蔽層，一般為編織銅網(wǎng)或銅泊（鋁），屏蔽層需要接地，外來(lái)的干擾信號(hào)可被該層導(dǎo)入大地。

一芯630平方鋁芯VLV22電纜220v下功率為170720瓦。一芯630平方鋁芯VLV22電纜的載流量為776A，所以776*220=170720瓦。

DP總線(xiàn)的物理層就是RS485，是一種特殊的高速總線(xiàn)，DP電纜的特性阻抗是150Ω，這對(duì)于高速通信（@10Mbps以上）具有極其重要的意義。DP電纜的導(dǎo)體線(xiàn)徑是22AWG，配合DP模塊壓接使用。低速率的情況下，可以用RS485電纜替代。RS485的概念范圍要廣得多，但通常RS485的通信速率很少達(dá)到DP這么快，其輸出阻抗一般在120Ω，并且實(shí)際最大無(wú)中繼傳輸距離要超過(guò)DP總線(xiàn)的1000米。RS485電纜的線(xiàn)徑范圍從26AWG~18AWG，接線(xiàn)方式可以有壓接、焊接、加接線(xiàn)鼻子螺絲錨固等。

是銅芯ZR-YJV四芯10平方電纜。

衛(wèi)星接收機(jī)天線(xiàn)口作用將高頻頭變頻信號(hào)下傳；一般的衛(wèi)星機(jī)提供高頻頭所需的12v電壓；輸出控制功分器的信號(hào)。顯然，天線(xiàn)口短路，12v供電壓會(huì)燒是最常見(jiàn)的問(wèn)題了。有的還會(huì)將LNB的電源部分同時(shí)損毀。其余1、3點(diǎn)同時(shí)失效。

銅芯1x10平方Y(jié)JV電纜在空氣中安全電流是102安。

不需要，線(xiàn)路生產(chǎn)出來(lái)出廠時(shí)CAN通訊線(xiàn)就已經(jīng)做過(guò)屏蔽了。

屏蔽與非屏蔽的區(qū)別主要有以下幾點(diǎn)：1、目前屏蔽式8芯插頭尚沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)，不同廠家之間的插頭/插座之間的兼容問(wèn)題、屏蔽的有效程度及插頭的接觸面能否長(zhǎng)期保持穩(wěn)定等方面都沒(méi)有定論。2、屏蔽系統(tǒng)倘若安裝不當(dāng)，達(dá)不到整體的屏蔽完整性，其性能將比非屏蔽更差。

3、目前沒(méi)有現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試屏蔽有效程度的方法 UTP（非屏蔽雙絞線(xiàn)）是目前較為成熟、可靠的綜合布線(xiàn)技術(shù)，在通常情況下完全可以滿(mǎn)足在干擾環(huán)境下的使用需求。如果干擾較大，可采用金屬橋架和管道做屏蔽層的布線(xiàn)方法，就可以滿(mǎn)足屏蔽的要求。如果使用環(huán)境存在極為嚴(yán)重的干擾，建議直接使用光纜，以滿(mǎn)足嚴(yán)酷的EMC要求 當(dāng)UTP應(yīng)用在結(jié)構(gòu)化布線(xiàn)系統(tǒng)上并廣泛地被世界接受時(shí)，一些有關(guān)使用屏蔽式電纜的誤區(qū)相繼出現(xiàn)，令用戶(hù)感到混亂和不安。

嚴(yán)格按照國(guó)標(biāo)GB 50312-2007所制定的條款要求制訂施工操作規(guī)程進(jìn)行施工；根據(jù)GB 50312-2007的規(guī)定，屏蔽對(duì)絞電纜的彎曲半徑為對(duì)絞電纜外徑(纜徑)的8倍，這要求施工時(shí)對(duì)橋架和導(dǎo)管的彎角處需特別注意；在工程中，應(yīng)根據(jù)所用屏蔽對(duì)絞電纜的外徑確定橋架和電線(xiàn)管的尺寸，以免造成穿線(xiàn)困難；軸裝線(xiàn)布放電纜時(shí)使用支架；接地系統(tǒng)要求完整無(wú)缺、沒(méi)有松動(dòng)的現(xiàn)象；安裝的模塊屏蔽殼體與屏蔽電纜屏蔽層作良好連接 鋁箔兩面并非都是導(dǎo)電層，通常只有一面為導(dǎo)電層(即與接地導(dǎo)線(xiàn)連接的一面)；鋁箔層要與接地導(dǎo)線(xiàn)一起端接到屏蔽模塊的屏蔽層上；為了不留下電磁波可以侵入的縫隙，應(yīng)盡量將鋁箔層展開(kāi)，與模塊的屏蔽層之間形成360度的全方位接觸；當(dāng)屏蔽層的導(dǎo)電面在里層時(shí)，應(yīng)將鋁箔層翻過(guò)來(lái)覆蓋在雙絞線(xiàn)的護(hù)套外，用屏蔽模塊附帶的尼龍?jiān)鷰㈦p絞線(xiàn)與模塊后部的金屬托架固定成一體。這樣，在罩上屏蔽殼后，無(wú)論是屏蔽殼與屏蔽層之間，還是屏蔽層與護(hù)套之間都沒(méi)有留下電磁波可以侵入的縫隙；屏蔽雙絞線(xiàn)端接施工完畢后，應(yīng)根據(jù)GB 50312-2007所規(guī)定按設(shè)計(jì)所應(yīng)達(dá)到的性能等級(jí)進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)保證屏蔽層的接地連續(xù)性，以及接入大樓接地的等電位電阻值。